VNQ660SP vs VNQ660SP-E Comparación

Comparación detallada lado a lado de VNQ660SP por STMicroelectronics y VNQ660SP-E por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro VNQ660SP VNQ660SP-E
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,45 $1,45
Part Number VNQ660SP —
Manufacturer STMicroelectronics —
Technology VIPower M0-3 STMicroelectronics VIPower M0-3
Función Quad Channel High-Side Solid State Relay —
Number of Channels 4 4 (Quad)
Configuración de salida High-Side (N-Channel MOSFET) —
On-Resistance RDS(on) per Channel 50 mΩ (typical) —
Continuous Output Current per Channel 6 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 36 V —
Input Compatibility CMOS-compatible logic inputs —
Open-Load Detection Yes (off-state) —
Undervoltage Shutdown Yes Yes
Overvoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Clamp Yes (active avalanche) —
Apagado térmico Yes Yes
Current Limitation Yes Yes
Encapsulado PowerSO-10 (10-pin with exposed pad) PowerSO-10 (Exposed Bottom Pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Topología — High-Side Switch (Solid State Relay)
Supply Voltage (Vcc) — 6 V to 36 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 40 mOhm per channel (typical)
Output Current per Channel — 6 A continuous
Output Current (Peak) — [DATA_NEEDED: peak current per channel]
Input Type — CMOS-compatible logic inputs
Off-State Open-Load Detection — Yes
Overvoltage Shutdown / Clamp — Yes
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant
Tiempo de retardo de encendido — 40 us (typ)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización