BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC027N10NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC070N10NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | NRND | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| محدوده دمای اتصال کاری | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |