BSC034N06NSATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC034N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC0502NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC034N06NSATMA1 BSC0502NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55C to +150C
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 26 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 2.3 mOhm
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ — 9.0 nC
Output Charge QOSS Typ — 13.5 nC
Power Dissipation at TA (Ta=25C) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (Tc=25C) — 43 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت