BSC035N04LSGATMA1 vs BSC018N04LSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC035N04LSGATMA1 توسط Infineon و BSC018N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC035N04LSGATMA1 | BSC018N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55°C to +150°C | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | — | 125 W |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | — | 2.5 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| JEDEC Qualification | — | Yes (qualified per JEDEC for target applications) |