BSC0902NSIATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0902NSIATMA1 توسط Infineon و BSC0901NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0902NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes Yes
Technology — OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
تعداد پایه — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت