BSC097N06NSATMA1 vs BSC0993NDATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC097N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC0993NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC097N06NSATMA1 BSC0993NDATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی / کیس PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 trench MOSFET
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
بسته‌بندی — PG-TISON-8
Channel Mode — Enhancement
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت