H5AN4G8NBJR-UHC vs MT40A1G8AG-062E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix و MT40A1G8AG-062E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ فعال
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN4G8NBJR-UHC MT40A1G8AG-062E
برند SK hynix Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
سازمان 512M x 8 1G x 8
نرخ داده 2400 Mbps (PC2400) —
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
رابط DDR4 (JEDEC) Parallel
بسته‌بندی TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (BGA)
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
وضعیت RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] —
اندازه حافظه — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت