IAUC120N06S5L032ATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC120N06S5L032ATMA1 توسط Infineon و IAUZ30N06S5L140ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (60 V) —
نوع ترانزیستور N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (T_j) —
Technology OptiMOS 5 Trench —
AEC-Q101 Qualified Yes —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 12.2 nC @ VGS=10 V
Output Capacitance (Coss) — 888 pF @ VDS=30 V
دمای اتصال کاری — -55°C to +175°C
Technology Family — OptiMOS 5
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت