IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN08S7N034ATMA1 توسط Infineon و IAUC60N06S5L073ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN08S7N034ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 OptiMOS 5
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
Technology — Trench (OptiMOS 5)
تعداد پین‌ها — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت