IPD70N10S312ATMA2 vs IPD90N06S407ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD70N10S312ATMA2 توسط Infineon و IPD90N06S407ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD70N10S312ATMA2 IPD90N06S407ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 (unlimited floor life) —
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D at T_C) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A — 6.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 4 V at 40 uA
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V — 56 nC
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) — 79 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت