IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGSCATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQE036N08NM6CGSCATMA1 توسط Infineon و IQE012N03LM5CGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 118 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 125 W —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
بسته‌بندی / کیس PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6) OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Configuration Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) —
Packing Tape and Reel (suffix ATMA1) —
Voltage Rating 60 V to 100 V category (80 V nominal) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc — 224 A
Maximum RDS(on) @ VGS=10V — 1.15 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ, per Merlin listing)
بسته‌بندی — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت