IRFS4321TRLPBF vs IRFR1018ETRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS4321TRLPBF توسط Infineon و IRFR1018ETRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS4321TRLPBF IRFR1018ETRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max at VGS=10V 15 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) Typ 71 nC —
Total Gate Charge (Qg) Max 110 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 350 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max 0.45 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252AA (D-Pak)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 46 nC
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes
سطح MSL — 1
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت