ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC015N06NM5ATMA1 توسط Infineon و BSC019N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| سطح MSL | — | 1 |
| Avalanche Rated | — | Yes |