ISC058N04NM5ATMA1 vs BSZ024N04LS6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC058N04NM5ATMA1 توسط Infineon و BSZ024N04LS6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC058N04NM5ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount, top-side drain pad
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 6 (shielded-gate trench)
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 24 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 130 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 2.4 mΩ
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.3 V (typical)
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V — 25 nC
Input Capacitance (C_iss) — 1.8 nF
Output Capacitance (C_oss) — 19 pF
Power Dissipation (P_D, Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (P_D, Tc) — 75 W
دمای اتصال کاری — -55°C to +175°C
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت