ISZ019N03L5SATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ019N03L5SATMA1 توسط Infineon و BSC014N04LSTATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ019N03L5SATMA1 BSC014N04LSTATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (TJ max) -55°C to +150°C
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Part Number — BSC014N04LSTATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 115 W
تعداد پایه — 8
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت