K4A4G085WG-BCWE vs MT40A512M8RH-075E:B مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WG-BCWE توسط Samsung Electronics و MT40A512M8RH-075E:B توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WG-BCWE | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (BCW) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel (DDR4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| سازمان | — | 512M x 8 |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| نوع رابط | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| ولتاژ مرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |