K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K128M16JT-125 AUT:K مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYK000 توسط Samsung Electronics و MT41K128M16JT-125 AUT:K توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K128M16JT-125 AUT:K |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 2 Gbit |
| سازمان | 256M x 16 | 128M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | -125 (1600 MT/s) |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8x14) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel | Parallel |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| Automotive Qualification | — | Yes (AUT part number suffix) |
| Marking Code | — | D9VKD |
| نرخ داده | — | 1600 MT/s |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix variant available) |