K4B4G1646E-BYMATCV vs MT41K256M16RE-125:D مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics و MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYMATCV | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 1600 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 |
| تأخیر CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| دمای کاری | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |