K9HUGY8J5B-CCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K9HUGY8J5B-CCK0 توسط Samsung Electronics و K9IUGY8J7B-CCK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K9HUGY8J5B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه 3D V-NAND TLC Flash NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Density [DATA_NEEDED: density] —
سازمان [DATA_NEEDED: organization] —
نوع رابط [DATA_NEEDED: interface type] [DATA_NEEDED: bus interface type]
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycles] [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Package Type [DATA_NEEDED: package type] [DATA_NEEDED: exact package code]
تعداد پایه [DATA_NEEDED: pin count] —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (BGA)
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
Cell Type — TLC (3 bits per cell)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
عرض گذرگاه داده — [DATA_NEEDED: data bus width]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت