1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3122MC12HXUMA1 par Infineon et 1EDN7116GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3122MC12HXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,92 | $0,84 |
| Product Type | Isolated Gate Driver (single-channel) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5.7 kVrms | — |
| Maximum Transient Isolation (Vpk) | 8 kVpk | — |
| Output Current (source / sink) | 10 A / 9 A | — |
| Configuration | High-side, non-inverting | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Supply Voltage (VCC / VBS) | 8 V to 35 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 30 ns | — |
| Rise Time / Fall Time (typ.) | 15 ns / 30 ns | — |
| Miller Clamp | Active (integrated) | Integrated, active |
| Short-Circuit Clamping | Yes | — |
| UVLO | Primary and secondary side | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 2 | MSL3 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Fonction | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |