1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon et 1ED3142MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3142MC12HXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1ED3142MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $1,32 |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | Inverting, Non-Inverting |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Nombre de sorties | 1 | 2 (separate source/sink) |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | Coreless transformer (galvanic) |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| Temps de montée | 15 ns | — |
| Temps de descente | 30 ns | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | — |
| Boîtier | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | 1ED3142MC12HXUMA1 |
| Product Family | — | EiceDRIVER X3 Compact |
| Driver Type | — | Isolated single-channel gate driver |
| Isolation Voltage | — | 3000 Vrms |
| Number of Channels | — | 1 |
| Source Drive Current | — | 6 A |
| Sink Drive Current | — | 6.5 A |
| Maximum Rise Time | — | 20 ns |
| Maximum Fall Time | — | 20 ns |
| Propagation Delay (typ.) | — | 40 ns |
| Supported Switches | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |
| EU RoHS | — | Compliant |
| Part Status | — | Active |
| ECCN | — | EAR99 |