1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3125MU12FXUMA1 par Infineon et 1ED3142MC12HXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx EiceDRIVER X3 Compact
Fonction Single-channel isolated gate driver —
Peak Output Current 14 A —
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms 3000 Vrms
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 1
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Coreless transformer (galvanic)
Boîtier PG-DSO-8 PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Nombre de broches 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
Statut RoHS Compliant —
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Nombre de sorties — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
Type de montage — Surface Mount
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis