1ED3125MU12FXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1ED3125MU12FXUMA1 von Infineon und 1ED3142MC12HXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1ED3125MU12FXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family EiceDRIVER Compact 1ED31xx EiceDRIVER X3 Compact
Funktion Single-channel isolated gate driver —
Peak Output Current 14 A —
Typical Output Current 10 A —
Isolation Voltage 3000 Vrms 3000 Vrms
Propagation Delay (typ) 90 ns —
Number of Channels 1 1
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Coreless transformer (galvanic)
Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Pin-Anzahl 8 —
Driver Supply Voltage (VCC) 3 V to 5.5 V (input side) —
Output Side Supply (VOUT) 12 V to 20 V —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C —
Active Miller Clamp Yes —
Short-Circuit Clamping Yes —
Active Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes —
RoHS-Status Compliant —
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Anzahl der Ausgänge — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
Montageart — Surface Mount
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datenblätter & Ressourcen

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