1ED3142MU12FXUMA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3142MU12FXUMA1 par Infineon et 2ED21064S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3142MU12FXUMA1 2ED21064S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,94 $0,85
Product Type Galvanically Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 1 —
Peak Source/Sink Output Current 6.5 A (typical) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (DigiKey rating) 3000 Vrms —
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) 2300 V —
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] —
Input Supply Voltage (VCC1) [DATA_NEEDED: value] —
Propagation Delay (typical) 42 ns 100 ns
Target Power Switches SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs —
Boîtier PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction/ambient range] —
Protection Features UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection —
Output Stage Separate source/sink pins, totem-pole —
Statut RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Family Infineon EiceDRIVER 1ED31xx —
Fonction — High-Side and Low-Side Gate Driver
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Topologie — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Fiches techniques et ressources

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