1ED44175N01BXTSA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED44175N01BXTSA1 par Infineon et 2EDN7434RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED44175N01BXTSA1 2EDN7434RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,34
Fonction Low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting —
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V [DATA_NEEDED: VDD range]
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
Broche d'activation Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature]
Boîtier PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Active Output Voltage Clamping — Yes

Fiches techniques et ressources

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