1EDB8275FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDB8275FXUMA1 par Infineon et 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDB8275FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $0,89
Fonction Single-channel isolated gate driver —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (Vrms) 3000 Vrms —
Peak Source Current (typ.) 5.4 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.8 A —
CMTI (min.) 300 V/ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Output-side Supply Voltage Up to 40 V (per datasheet family) —
Input-side Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC input range] —
UVLO Yes (input and output side) —
Miller Clamp Available in family —
Boîtier PG-DSO-8 (150 mil wide-body) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C (industrial) -40 °C to +125 °C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Nombre de broches — 14
Standard Reel Quantity — 3000

Fiches techniques et ressources

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