1EDI60N12AFXUMA1 vs 1EDB7275FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDI60N12AFXUMA1 par Infineon et 1EDB7275FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDI60N12AFXUMA1 1EDB7275FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,21 $1,68
Driver Configuration Single high-side, galvanically isolated —
Number of Channels 1 —
Isolation Type Magnetic (coreless transformer) —
Isolation Voltage 1200 V working voltage —
Maximum Output Voltage 40 V —
Source Current (typ.) 10 A —
Sink Current (typ.) 9.4 A —
Supply Voltage (VDD) 3.1 V to 17 V —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS/TTL —
Creepage Distance (min.) 4 mm —
Short-Circuit Clamping Yes (separate sink/source outputs) —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-DSO-8-51 (DSO-8) PG-DSO-8 (150 mil DSO, 8-pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Type — Single-channel isolated gate driver IC
Topology Supported — High-side / low-side, half-bridge (with two parts)
Isolation Technology — Coreless transformer (CT) magnetic coupling
Isolation Voltage (Viso) — 3000 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 300 V/ns (minimum)
Peak Source Output Current — 5.4 A (typical)
Peak Sink Output Current — 9.8 A (typical)
Propagation Delay — +6 / -4 ns (typical, see datasheet family)
Supported Switch Technologies — Si MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
UVLO Protection — Yes (secondary side)
Marking Code — 1B7275A

Fiches techniques et ressources

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