1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136UXTSA1 par Infineon et 1EDN7116GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7136UXTSA1 1EDN7116GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,84
Fonction High-side / Low-side gate driver IC Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 2 A 4 A (typ)
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] 9 ns
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C -40 °C to +125 °C
Boîtier TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes (per Infineon product family convention) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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