2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2304S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21064S06JXUMA1 par Infineon et 2ED2304S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21064S06JXUMA1 2ED2304S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $0,66
Fonction High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) —
Topologie High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated (BSD)
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger)
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-910 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 2
Statut RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Technology — Infineon thin-film SOI
Blocking Voltage (High-Side) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.36 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
VCC Supply Range — 10 V to 17 V
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB-VS)
Interlock / Anti-Shoot-Through — Built-in
Propagation Delay (typ.) — 200 ns
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C

Fiches techniques et ressources

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