2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon et 2EDN7434RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4BXTMA1 2EDN7434RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $0,34
Topologie Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) —
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) —
Input Logic Compatibility TTL LV-TTL, non-inverting
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Boîtier PG-VDSON-8-5 PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Fiches techniques et ressources

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