2EDN7533RXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7533RXTMA1 par Infineon et 1ED3127MU12FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7533RXTMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,74
Fonction Dual-channel low-side gate driver Single-channel isolated gate driver
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 15 ns
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de sorties — 1
Configuration de sortie — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Fiches techniques et ressources

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