2EDN7534FXTMA1 vs 1EDN8511BXUSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7534FXTMA1 par Infineon et 1EDN8511BXUSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7534FXTMA1 1EDN8511BXUSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,54
Driver Type Low-Side, Dual Channel —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Input Voltage Range (logic pins) -12 V to +22 V (absolute max) —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Output Polarity Non-Inverting —
Output Voltage Clamping Active, to VDD —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: channel skew] —
Under-Voltage Lockout Yes —
Broche d'activation Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-DSO-8 PG-SOT23-6-2
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
Température de jonction en fonctionnement — -40 °C to +150 °C
Nombre de broches — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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