2N7002-7-F vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002-7-F par Diodes Incorporated et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002-7-F 2N7002H6327XTSA2
Marque Diodes Incorporated Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,08 $0,08
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Boîtier SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] -55C to +150C (Tj)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] [DATA_NEEDED: Ciss]
Statut RoHS Compliant Compliant
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Technology Trench MOSFET OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Qualification — Industrial / Commercial Grade

Fiches techniques et ressources

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