AIMBG120R010M1XTMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AIMBG120R010M1XTMA1 par Infineon et BSF134N10NJ3GXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | AIMBG120R010M1XTMA1 | BSF134N10NJ3GXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $41,90 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ G1 Automotive SiC Trench MOSFET | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET | Trench-gate OptiMOS planar |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 1200 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 205 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 8.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 882 W | — |
| Boîtier | PG-TO263-7 (TO-263-7 / D2PAK-7) surface mount | MG-WDSON-2 (CanPAK M) |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 7 + Tab | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | OptiMOS 100 V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 9 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.2 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 43 W |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Terminal Position | — | Bottom |
| Terminal Finish | — | Silver Nickel |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] |
| Body Diode Reverse Recovery | — | [DATA_NEEDED: trr value] |