AT25DF641A-SH-B vs AT25DF641A-SH-T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AT25DF641A-SH-B par Renesas Electronics et AT25DF641A-SH-T par Renesas Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Renesas Electronics
AT25DF641A-SH-B AT25DF641A-SH-B - 64Mbit SPI Flash, 2.7-3.6V, 100MHz SOIC-8 | Renesas

AT25DF641A-SH-B - 64Mbit SPI Flash, 2.7-3.6V, 100MHz SOIC-8 | Renesas

AT25DF641A-SH-B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AT25DF641A-SH-B AT25DF641A-SH-T
Marque Renesas Electronics Renesas Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,82
Type de mémoire Non-volatile NOR Flash NOR Flash
Memory Density 64 Mbit (8 MB) —
Organisation de la mémoire 8M x 8 bit —
Interface SPI (Serial Peripheral Interface) SPI (Single/Dual I/O), Serial Peripheral Interface compatible
SPI Modes Mode 0 and Mode 3 —
Maximum SPI Clock 100 MHz —
Dual-I/O Support Yes (Dual Output Read) —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (single supply) 2.7 V to 3.6 V (single supply)
Page Size 256 bytes —
Sector Erase Size 4 KB —
Block Erase Sizes 32 KB and 64 KB —
Température de fonctionnement -40 C to +85 C -40 C to +85 C (industrial)
Boîtier 8-SOIC-W (Wide Body, 208 mil) 8-SOIC (SOIC-W 208 mil, "SH")
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Form Tube (-SH-B suffix) —
Lead-Free / RoHS Yes (Green, Pb-free) —
Write Protection Hardware WP#, software, and absolute protection —
JEDEC ID 0x1F (Atmel/Renesas) —
Density — 64 Mbit (8 MB)
Clock Frequency (max) — 100 MHz (Single-I/O)
Page Size (program) — 256 bytes
Sector Erase Sizes — 4 KB / 32 KB / 64 KB uniform
Sector Architecture — Uniform 4 KB sectors
Deep Power-Down Current — [DATA_NEEDED: typical deep power-down current in uA]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current in mA]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
Write-Protect Pin — Yes (/WP)
Hold Pin — Yes (/HOLD)
JEDEC ID Read — Yes
Niveau MSL — 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for SOIC flash)
Statut RoHS — Compliant (Green)
Lead-Free — Yes
Statut du cycle de vie — Not Recommended for New Designs (NRND), see AT25QF641B-SHB-T
Packaging — Tape & Reel (suffix -T)

Fiches techniques et ressources

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