AT45DB041E-SHN2B-T vs AT45DB041E-SSHN2B-T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AT45DB041E-SHN2B-T par Renesas Electronics et AT45DB041E-SSHN2B-T par Renesas Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Renesas Electronics
AT45DB041E-SHN2B-T AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T ✓ Actif
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AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AT45DB041E-SHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T
Marque Renesas Electronics Renesas Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $1,40
Type de mémoire NOR Flash (DataFlash, SPI) Non-volatile Flash (DataFlash / NOR)
Taille de mémoire 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra 4 Mbit (4,194,304 bits)
Organisation de la mémoire 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes) 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode)
Supply Voltage (VCC) 1.65 V to 3.6 V —
Type d'interface SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS) SPI (Modes 0 and 3) / RapidS
Fréquence d'horloge maximale 85 MHz 85 MHz
Page Size 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) 256 bytes / 264 bytes
SRAM Buffer Dual, 256/264 bytes —
Température de fonctionnement -40C to +85C (industrial) -40 °C to +85 °C
Boîtier 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width) 8-SOIC (SOIC-N 150 mil)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Sector Erase Size 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase) —
Standby Current [DATA_NEEDED: deep power-down typical value] —
Supply Voltage (Vcc) — 1.65 V to 3.6 V
SRAM Buffers — 2 x 256/264 bytes (dual buffer)
Sector / Block Erase — Page erase as small as 256 bytes
Write Protection — Hardware, Software, and Absolute write protection
Power-on Reset — Yes (integrated)

Fiches techniques et ressources

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