AT45DB041E-SHN2B-T vs AT45DB041E-SSHN2B-T 比較

詳細な並列比較: AT45DB041E-SHN2B-T メーカー: Renesas Electronics および AT45DB041E-SSHN2B-T メーカー: Renesas Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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AT45DB041E-SHN2B-T AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T - 4Mbit 1.65V SPI DataFlash 85MHz | Renesas

AT45DB041E-SHN2B-T ✓ 生産中
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AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AT45DB041E-SHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T
ブランド Renesas Electronics Renesas Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.92 $1.40
メモリタイプ NOR Flash (DataFlash, SPI) Non-volatile Flash (DataFlash / NOR)
メモリサイズ 4 Mbit (512K x 8) plus 128 kbits extra 4 Mbit (4,194,304 bits)
メモリ構成 2048 pages x 256 bytes (or 2112 x 264 bytes) 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode)
Supply Voltage (VCC) 1.65 V to 3.6 V —
インターフェースタイプ SPI (3-wire: SI, SO, SCK + CS) SPI (Modes 0 and 3) / RapidS
最大クロック周波数 85 MHz 85 MHz
Page Size 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) 256 bytes / 264 bytes
SRAM Buffer Dual, 256/264 bytes —
動作温度 -40C to +85C (industrial) -40 °C to +85 °C
パッケージ 8-SOIC (EIAJ 208mil, 5.23 mm body width) 8-SOIC (SOIC-N 150 mil)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Sector Erase Size 64 KB (4 KB block, 256-byte page erase) —
Standby Current [DATA_NEEDED: deep power-down typical value] —
Supply Voltage (Vcc) — 1.65 V to 3.6 V
SRAM Buffers — 2 x 256/264 bytes (dual buffer)
Sector / Block Erase — Page erase as small as 256 bytes
Write Protection — Hardware, Software, and Absolute write protection
Power-on Reset — Yes (integrated)

データシート&リソース

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