ATSAMG53N19A-AU vs ATSAMG55J19A-AU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ATSAMG53N19A-AU par Microchip Technology et ATSAMG55J19A-AU par Microchip Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Microchip Technology
ATSAMG53N19A-AU ATSAMG53N19A-AU - ARM Cortex-M4 48MHz MCU | Microchip

ATSAMG53N19A-AU - ARM Cortex-M4 48MHz MCU | Microchip

ATSAMG53N19A-AU ✓ Actif
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ATSAMG53N19A-AU ATSAMG55J19A-AU
Marque Microchip Technology Microchip Technology
Catégorie Microcontrollers Microcontrollers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $3,99
Core Architecture ARM Cortex-M4 with FPU ARM Cortex-M4 with FPU
Core Clock Speed 48 MHz —
Bit Width 32-bit —
Program Memory (Flash) 512 KB (512K x 8) —
RAM 96 KB —
Tension d'alimentation 1.5 V to 3.6 V —
Température de fonctionnement -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Boîtier LQFP-100 (14x14 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
GPIO Count Up to 38 —
ADC 12-bit, up to 1 MSPS 12-bit SAR
USB USB 2.0 Full-Speed device with on-chip transceiver USB 2.0 Full-Speed device/host
Communication Peripherals USART/UART/SPI/TWI/I2C USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
Oscillator Internal 8 MHz, external 32.768 kHz RTC crystal support —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 (per industry standard) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
Audio Interface — I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Deep Sleep Current — Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

Fiches techniques et ressources

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