BC817-40,215 vs BC817-40 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BC817-40,215 par Nexperia et BC817-40 par Nexperia. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nexperia
BC817-40,215 BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BC817-40,215 BC817-40
Marque Nexperia Nexperia
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,05 $0,02
Type de transistor NPN Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Boîtier SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 45 V 45 V
Tension collecteur-base (Vcbo) 50 V 50 V
Tension émetteur-base (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak collector current] [DATA_NEEDED: ICM value]
Dissipation de puissance (Ptot) 250 mW —
Fréquence de transition (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) —
Plage de température de fonctionnement -65 C to +150 C (TJ) —
JEDEC Package Standard TO-236AB —
Pin Configuration Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Reflow Yes (260 C peak per J-STD-020) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Température de jonction en fonctionnement — -65 C to +150 C
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Complementary PNP Part — BC807-40

Fiches techniques et ressources

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