BC817-40,215 vs BC817-40 比較

詳細な並列比較: BC817-40,215 メーカー: Nexperia および BC817-40 メーカー: Nexperia。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BC817-40,215 BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BC817-40,215 BC817-40
ブランド Nexperia Nexperia
カテゴリ Transistors Transistors
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.05 $0.02
トランジスタタイプ NPN Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
パッケージ SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
コレクタ-エミッタ間電圧(Vceo) 45 V 45 V
コレクタ-ベース間電圧(Vcbo) 50 V 50 V
エミッタ-ベース間電圧(Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak collector current] [DATA_NEEDED: ICM value]
消費電力(Ptot) 250 mW —
遷移周波数(ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) —
動作温度範囲 -65 C to +150 C (TJ) —
JEDEC Package Standard TO-236AB —
Pin Configuration Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Reflow Yes (260 C peak per J-STD-020) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
動作接合温度 — -65 C to +150 C
MSLレベル — 1
RoHS ステータス — Compliant
Complementary PNP Part — BC807-40

データシート&リソース

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