BGA7L1N6E6327XT vs BGA7L1N6E6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BGA7L1N6E6327XT par Infineon et BGA7L1N6E6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BGA7L1N6E6327XT | BGA7L1N6E6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,42 |
| Type | Low Noise Amplifier (LNA) MMIC | — |
| Technology | Silicon Germanium (SiGe) | Silicon Germanium (SiGe) |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz | 728 MHz to 960 MHz |
| Insertion Power Gain | 13.3 dB | 13.3 dB (typical) |
| Noise Figure (NF) | 0.90 dB | — |
| Tension d'alimentation | 1.5 V to 3.3 V | 1.5 V to 3.3 V |
| Courant d'alimentation | 4.4 mA (typical) | 4.4 mA (typical) |
| Control Logic | Digital on/off switch, 1 V logic level | Digital on/off switch, 1 V logic-high enable |
| Boîtier | TSNP-6-2 (leadless) | TSNP-6-2 (PG-TSNP-6-2), 0.7 mm x 1.1 mm |
| Package Footprint | 0.7 mm x 1.1 mm | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +85C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Topologie | Single-stage with on-chip matching and bypass | — |
| Application Band | LTE Band 8 / 12 / 13 / 20 (sub-1 GHz) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BGA7L1N6E6327XTSA1 |
| Fonction | — | RF Low Noise Amplifier (LNA) MMIC |
| Noise Figure | — | 0.90 dB (typical) |
| Input/Output Impedance | — | Internally matched to 50 ohm |
| Température de fonctionnement | — | -40 C to +85 C |
| Standard Pack Quantity | — | 15,000 (reel) |
| Target Application | — | LTE low-band (700/800/900 MHz) receiver front-end |