BSC011N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC011N03LSATMA1 par Infineon et BSC020N03LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC011N03LSATMA1 BSC020N03LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 30V —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 37 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 100 A (TC) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.1 mOhm (typ) approximately 2.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 96 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet)
Statut RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 96 W
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm)
Packaging — Tape & Reel

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