BSC011N03LSTATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC011N03LSTATMA1 par Infineon et BSC12DN20NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC011N03LSTATMA1 | BSC12DN20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $0,61 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 39 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | 2 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 72 nC | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS power MOSFET |
| Configuration | Single with built-in diode | Single N-channel |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 200V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 11.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 50 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nombre de broches | — | 8 |