BSC014N04LS vs BSC014N04LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LS par Infineon et BSC014N04LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LS BSC014N04LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,35 $0,39
Polarity N-channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
VDS Max 40 V —
RDS(on) Max 1.4 mOhm —
ID Max 198 A —
Boîtier SuperSO8 5x6 (TDSON-8FL) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Configuration Single MOSFET —
Absolute Max Rating Condition TC = 25C, de-rating required above —
Thermal Test Condition 40 mm x 40 mm x 1.5 mm FR4, 6 cm2 70 um copper drain area —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
VGS Max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation] —
Thermal Resistance RthJC [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tradename — OptiMOS

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