BSC014N04LSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSATMA1 par Infineon et BSC0501NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC014N04LSATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,74 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | Trench-gate OptiMOS 5 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |