BSC014N04LSIATMA1 vs BSC014N04LS Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSIATMA1 par Infineon et BSC014N04LS par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LS
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,35
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) SuperSO8 5x6 (TDSON-8FL)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tradename OptiMOS —
Polarity — N-channel
VDS Max — 40 V
RDS(on) Max — 1.4 mOhm
ID Max — 198 A
Température de fonctionnement — -55C to +150C
Configuration — Single MOSFET
Absolute Max Rating Condition — TC = 25C, de-rating required above
Thermal Test Condition — 40 mm x 40 mm x 1.5 mm FR4, 6 cm2 70 um copper drain area
VGS Max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: thermal resistance]

Fiches techniques et ressources

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