BSC014N04LSIATMA1 vs BSC014N04LS 比較

詳細な並列比較: BSC014N04LSIATMA1 メーカー: Infineon および BSC014N04LS メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LS
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.39 $0.35
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
動作温度範囲 -55 C to +150 C —
パッケージ PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) SuperSO8 5x6 (TDSON-8FL)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tradename OptiMOS —
Polarity — N-channel
VDS Max — 40 V
RDS(on) Max — 1.4 mOhm
ID Max — 198 A
動作温度 — -55C to +150C
Configuration — Single MOSFET
Absolute Max Rating Condition — TC = 25C, de-rating required above
Thermal Test Condition — 40 mm x 40 mm x 1.5 mm FR4, 6 cm2 70 um copper drain area
VGS Max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation]
Thermal Resistance RthJC — [DATA_NEEDED: thermal resistance]

データシート&リソース

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