BSC014N04LSIATMA1 vs BSC050N03LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSIATMA1 par Infineon et BSC050N03LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSIATMA1 BSC050N03LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,36
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC050N03LSGATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 80 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Channel Type — N-Channel

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