BSC014N04LSTATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSTATMA1 par Infineon et BSC016N06NSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL MSL1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes Yes
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Series — OptiMOS

Fiches techniques et ressources

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