BSC014N04LSTATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSTATMA1 par Infineon et BSC034N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSTATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +150C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL MSL1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W

Fiches techniques et ressources

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